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193X270AAG01
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1．晶体管内部载流子的运动规律
以NPN型管为例，晶体管内部载流子的运动分为三个过程：
（1）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 IE
（2）电子在基区的扩散与复合——形成基极电流 IB
（3）集电极收集发射区过来的电子——形成集电极电流 IC
2．晶体管的电流分配关系
关键电子在基区中扩散与复合的比例，使得 ，这就是晶体管的电流放大作用。
（1）满足 IE=IB+IC≈IC
（2） =电流放大系数 β
晶体管的电流放大作用，从内因来看，与晶体管的内部结构有关。从外因来看，电子在发射区要发射，发射结要正向偏置，电子在集电区要被收集，集电结要反向偏置，显然对于不同管型的晶体管都要保证这种合理的外部供电。
因此，对于NPN管UC>UB>UE，对于PNP管UE>UB>UC 。
以NPN型管为例，晶体管内部载流子的运动分为三个过程：
（1）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 IE
（2）电子在基区的扩散与复合——形成基极电流 IB
（3）集电极收集发射区过来的电子——形成集电极电流 IC
2．晶体管的电流分配关系
关键电子在基区中扩散与复合的比例，使得 ，这就是晶体管的电流放大作用。
（1）满足 IE=IB+IC≈IC
（2） =电流放大系数 β
晶体管的电流放大作用，从内因来看，与晶体管的内部结构有关。从外因来看，电子在发射区要发射，发射结要正向偏置，电子在集电区要被收集，集电结要反向偏置，显然对于不同管型的晶体管都要保证这种合理的外部供电。
因此，对于NPN管UC>UB>UE，对于PNP管UE>UB>UC 。
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