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193X294ABG02

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场效应晶体管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制半导体中的多数载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱而变化，形成电压控制其导电的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
较广泛应用的是以二氧化硅（SiO₂）作为金属（铝）栅极和半导体之间的绝缘层结构的场效应晶体管，简称MOS管。现把场效应管与晶体管的特点，列表对比如下：

上一个：193X276AAG01 下一个：193X369AAG01