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193X711MG03
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1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）
iB=f (vBE)½ vCE=常数
(1) 当vCE=0V时，相当于C和E短接，表现为PN结的正向伏安特性曲线。
(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。
(3) 输入特性曲线的三个部分
①死区
死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V
②非线性区
③线性区
IB在很大范围内变化，VBE基本不变（恒压）。VBE值：硅管约0.7V，锗管约0.2V。
2. 输出特性曲线（以共射极放大电路为例）
iC=f (vCE)½ iB=常数
输出特性曲线的三个区域
饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。
截止区：iC接近零的区域，即iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏或正向电压小于死区电压。
上一个：193X703MG03
下一个：193X741MG01
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