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23HS60RO455

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1. JFET的结构和符号

N沟道JFET P沟道JFET

2. 工作原理（以N沟道JFET为例）

N沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压——V_GS< 0，在D-S间加一个正电压—— V_DS>0.

栅极—沟道间的PN结反偏，栅极电流i_G»0，栅极输入电阻很高（高达107W以上）。

N沟道中的多子（电子）由S向D运动，形成漏极电流i_D。i_D的大小取决于V_DS的大小和沟道电阻。改变V_GS可改变沟道电阻，从而改变i_D 。

主要讨论V_GS对i_D的控制作用以及V_DS对i_D的影响。

①栅源电压V_GS对i_D的控制作用

当V_GS＜0时，PN结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，I_D减小；V_GS更负时，沟道更窄，I_D更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， I_D≈0。这时所对应的栅源电压V_GS称为夹断电压V_P。

②漏源电压V_DS对i_D的影响

在栅源间加电压V_GS ＜ 0 ，漏源间加正电压V_DS > 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为V_GD=V_GS-V_DS，比源端耗尽层所受的反偏电压V_GS大,(如:V_GS=-2V, V_DS =3V, V_P=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为V_GD=-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故V_DS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。