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绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管，简称 MOS 管。
N 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构:
源极 S、漏极 D、栅极 G 分别与晶体管的发射极 E、集电极 C、基极 B 对应。
符号：
衬底 B 的箭头指向衬底为 N 沟道；指向外为 P 沟道。
上一个：3HAC020929-007
下一个：3HAC020938-004
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