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场效应晶体管(Field-Effect Transistor ,FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管按结构,可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,故有绝缘栅型之称。或者按其金属-氧化物-半导体的材料构成,可称其为MOS管。

绝缘栅型场效应晶体管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种。N沟道绝缘栅型场效应晶体管的结构如图1所示。

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