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3HAC036161-003

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1、结构
在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个电极，第一基极与第二基极，这两个基极之间的电阻约为2—12KΩ。在两个基极之间，设法掺入P型杂质铝，引出电极成为发射极，由于只有一个PN结，故称单结晶体管。

2、特性
1）当Q1断开Q2闭合时，外加基极电压由Rb1Rb2分压，
UA=ηUbb

2）当Ubb断开，Q1闭合加上Ue时，二极管与Rb1组成串联电路，发射极电压与电流的伏安特性如图所示。
3）管子加上一定的基极电压，Ue从零开始增大，当小于UA时，二极管反偏，只有很小的反向漏电流；当Ue再增大，二极管开始正偏，到峰值电压时，发射极电流显著增大，Rb1减小，出现一个与常规相反的现象，电压随电流的增大而减小，即动态电阻为负值，这就是单结晶体管所特有的负阻特性。
4）随着电压的逐渐减小，小于谷点电压时管子将重新截止。

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