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由于PN结结电容(CBCD)的存在,使其在高频运用时,必须考虑结电容的影响。PN结高频等效电路如下图所示,图中r表示电阻,C为结电容,它包括势垒电容和扩散电容。C的大小除了与本身结构和工艺有关外,还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时,r为正向电阻,数值很小,而结电容较大(主要决定于扩散电容CD)。当PN结处于反向偏置时,r为反向电阻,其数值较大,结电容较小(主要决定于势垒电容CB)。

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