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为了较真实地描述二极管V-I 特性,二极管折线模型是在恒压降模型的基础上,作一定的修正,即认为二极管的管压降不是恒定的,而是随着通过二极管电流的增加而增加。所以,在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。
二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth,约为0.5V(硅管)。至于rD的值,可以这样来确定,即当二极管的导通电流为1mA时,管压降为0.7V,于是rD的值可计算如下:


由于二极管特性的分散性,Vth和rD的值不是固定不变的。

二极管的折线模型

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