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为了保证 CPU 在需要时从已知的起点和状态开始工作,安排了复位功能。 当复位引脚RST/VPD出现两个机器周期高电平时,单片机复位 。
  参考复位电路如下:

  复位后, P0 ~ P3 输出高电平; SP 寄存器为 07H ;其它寄存器全部清 0 ;不影响 RAM 状态。 复位后片内各寄存器的状态如下( X 为不确定):

  PC     0000H      ACC      00H
  B     00H       PSW      00H
  SP    07H       DPTR     0000H
  P0 ~ P3 FFH       IP       XXX00000B
  IE     0XX00000B    TMOD      00H
  TCON    00H       THO      00H
  TLO    00H       TH1      00H
  TL1    00H       SCON     00H
  SBUF    不确定
  PCON    0XXXXXXXB(HMOS)0XXX0000B(CHMOS)

  复位不影响内部 RAM 中的数据。复位后, PC=0000 指向程序存储器 0000H 地址单元,使 CPU 从首地址 0000H 单元开始重新执行程序。所以单片机系统在运行出错或进入死循环时,可按复位健重新启动。
   RST/Vpp 端的外部复位电路有两种工作方式:上电自动复位和按健手动复位。如图所示。上电复位是利用 RC 充电来实现的。利用 RC 微分电路产生正脉冲。参数选取应保证复位高电平持续时间大于两个机器周期(图中参数适合 6MHz 晶振)。开关 S1 为手动复位,按下 S1 时合上开关, RST 得到高电平,松手后 CPU 完成复位,并从 0000H 开始执行程序。

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