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DS3820PSCB
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- Product description: DS3820PSCB
BJT工作于放大状态的条件：
1．器件内部条件：在制造工艺上要求发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低；集电区面积大，且掺杂浓度低于发射区。
2．外部电路条件：要使发射结正向偏置，集电结反向偏置。以共基电路为例，外加电压如下图所示。图中VBB使发射结正偏，VCC使集电结反偏。
上一个：DS3820PS5C
下一个：DS3820PSFB
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