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DSQC652

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DSQC652质保一年
Product description: DSQC652
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晶体管放大作用必须满足的条件:
内部条件: 晶体管结构上的特点
外部条件: 晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负; N区接正,P区接负。
（一）晶体管内部载流子的运动
1.发射区向基区注入电子的过程
载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn.
2.电子在基区的扩散过程
注入的电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成iB，绝大部分扩散到集电结边界。
3.电子被集电级收集的过程
电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn. 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICBO。

(二）晶体管的电流分配关系

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